磁歪式変位センサ直結型
<ダウンロードファイル>
・カタログ(日本語):2017年7月25日 第3版
・取説(日本語):2023年7月6日 第21版
・取説(英語):2023年07月6日 第9版
・設定ソフト:I-SAC_Terminal_Q (ダウンロードはこちらから)
単純適応制御
制御対象のパラメータの変動や経年変化による影響を自動的に吸収するロバスト適応制御を実現
三菱電機シーケンサMELSEC-Qにビルトイン
「DS-Q」1台で、センサI/F、アナログ入力、サーボ出力、モーションコントローラ機能搭載。
サーボサイクル5kHz高速演算(スキャンタイムに依存しない)
サーボ出力軸 | 1軸 | サーボサイクル | 5kHz | |
---|---|---|---|---|
サーボ出力 | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
出力分解能 | -30,000~+30,000(フルスケールに対して) | |
接続センサ | 磁歪式変位センサ | センサ接続数 | 1軸 | |
適合型式 | G1:GYcRS/GYFRS/GYMR6 G2:GYcRP G3:GYHR G4:GYSE-R |
位置検出方式 | アブソリュート方式 | |
最高分解能 | G1,G4:1μm G2,G3:50μm |
サンプリング | センサストロークに依存 | |
アナログ入力信号 | 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
アナログ入力分解能 | -30,000~+30,000(フルスケールに対して) | |
外部電源 | DC24V(±10%),100mA |
①アナログ入力
1:電圧入力(±10V)
2:電流入力(±20mA)
②サーボ出力
1:電圧出力(±10V)
2:電流出力(±50mA)
③オプション
空欄:一般FA市場向け製品
H:製鉄市場向け製品
製品名 | 位置検出方式 | 直結センサ | 指令(上位) | サーボサイクル | サーボ出力 | 出力分解能 | アナログ入力 | アナログ分解能 |
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アブソリュート | GYセンサ | MELSEC-Q ビルトイン |
5kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
2ch入力 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | |
|
アブソリュート インクリメンタル |
アナログ A/B相パルス |
アナログ A/B相パルス |
5kHz (20kHz) |
電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
|
アブソリュート | GYセンサ | 産業用 ネットワーク |
5kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
2ch入力 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
|
インクリメンタル | A/B/Z相パルス | 産業用 ネットワーク |
5kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
2ch入力 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
インクリメンタル | A/B/Z相パルス | MELSEC-Q ビルトイン |
5kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
2ch入力 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
|
セミ アブソリュート |
GMR2 GMR3 |
MELSEC-Q ビルトイン |
5kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
2ch入力 電圧(±10V) 電流(±20mA) |
-30,000~ +30,000 (フルスケール) |
|
アブソリュート インクリメンタル |
アナログ A/B相パルス |
アナログ A/B相パルス |
3kHz | 電圧(±10V) 電流(±50mA) |
16bit (フルスケール) |
電圧(±10V) 電流(±20mA) |
12bit (フルスケール) |
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